一、为什么要仿E2
1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。
目的：操作方便。
2、从功能方面比较，EEPROM即电可擦除可编程只读存储器，它的突出优点是在线擦除和改写.它既具有ROM的非易失性的优点,又能像RAM一样随机的读写。EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部分芯片可以单字节写入(编程)，一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。但比单片机片内RAM的读写还要慢。
目的：一般存取数据量有限，要字节操作，有效地利用存储空间。
3、从使用角度比较，EEPROM可以1个字节1个字节的写，写的时候没有限制。FLASH写只能把1写为0，不能把0写为1。要想把0变成1，只能按块擦除，擦除后整块全为0xff。
目的：存储的数据，随时有可能改变。
4、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。（这个就没什么了，我们是在把贵的变成便宜的来用。）
最主要的区别: Flash存储器是分页管理的，而EEPROM按字节管理。
二、如何仿E2
首先，有库文件：lib78k0.rar
libf.lib和libfsm.lib为自编程库，eee.lib eeen.lib
eeeb.lib eeenb.lib
为仿E2库，仿E2时这两种库都需要，但没必要全加上，我用的是uPD78F0527DA，是有BANK的，选了libf.lib
eeen.lib和eeenb.lib三个库文件，说实在的，这几个仿E2库我也搞不清哪个是适用有BANK的，哪个适用无BNAK的，我一个个试的
其次，头文件：smp78k0.rar
内有C和汇编两个版本，在使用以上库文件里的函数时，注意要包含这些头文件，根据需要调用。
三、注意事项
1、sreg
UINT8 SELF_EntryRAM[100];是为仿E2开辟一个空间，其他地方尽量避免再声明sreg型的变量，否则，ucResult
= ucEEPROMInitEx_A(&eep_par);初始化函数就会返回0xFD/* Device error */.
这个本人以身试法过，最后终于发现了这个问题。我在其他.c文件中声明并定义过sreg变量，当时是速度和空间的考虑，将其声明为sreg类型，并使用其位变量。后来将这个sreg变量改成结构体就解决了。
2、原则上，调用库函数之前要FLMD0置1，完事后，再置0，但是我试了，不操作FLMD0的电平也可以正常的仿E2，数据写入和读出都正确。这个额就不明白为什么了
四、最后，再附上整个仿EEPROM的工程EEE78K0Type01.rar
五、欢迎大家踊跃讨论，有问题都说出来。
当前离线
